前次向我们叙述了碳化硅的优势，这次就不做过多解说了；但碳化硅器材的这些优秀特性，一定要经过封装与电路系统完成功率和信号的高效，才干得到完美展示，而现有的传统封装技能应用于碳化硅器材时面临着一些要害应战。

  经过焊锡将芯片背部焊接在基板上，再经过金属键合线引出正面电极，最终进行塑封或许灌胶。传统封装技能老练，成本低，并且可兼容和代替原有 Si 基器材。

  在进行芯片正面衔接时可用铜线代替铝线，消除了键合线与 DBC 铜层之间的热膨胀系数差异，极大地进步模块作业的可靠性。此外，铝带、铜带衔接工艺因其更大的截流才能、更好的功率循环以及散热才能，也有望为碳化硅供给更佳的解决方案。

  瓷片电容的集成较为常见，经过将瓷片电容尽可能接近功率芯片可有用减小功率回路寄生电感参数，减小开关过程中的震动、过冲现象。但现在瓷片电容不耐高温，所以并不适宜于碳化硅的高温作业情况。